特許

J-GLOBAL ID：200903003031095861

半導体装置の製造方法

発明者： 酒井 義彦
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 田中 隆秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151378
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 エッチングガス組成を適切に調整してエッチング速度分布の向上をはかり、下地膜の膜減りを抑制すること。【構成】 エッチング用ガスとしてエッチングに寄与するFラジカルを生成するF系ガスと、エッチングに寄与するFラジカル及びClラジカルを生成するとともにデポジションに寄与するCラジカルを生成するCl-F系ガスと、Fラジカルの分解促進又はデポジットされたラジカルと反応してそのラジカルを除去する反応促進ラジカルを生成する添加ガスとの混合ガスを用いる。前記Cl- F系ガスの組成流量比を50%以上とする。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコンを用いた半導体層をドライエッチング法によりエッチングして半導体装置を形成する半導体装置の製造方法において、下記の要件(A1)及び(A2)を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法、(A1) エッチング用ガスとしてエッチングに寄与するFラジカルを生成するF系ガスと、エッチングに寄与するFラジカル及びClラジカルを生成するとともにデポジションに寄与するCラジカルを生成するCl-F系ガスと、Fラジカルの分解促進又はデポジットされたラジカルと反応してそのラジカルを除去する反応促進ラジカルを生成する添加ガスとの混合ガスを用いること、(A2)前記Cl- F系ガスの組成流量比を50%以上とすること。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 31/10