直列に接続されたメモリ素子のグループを含む磁気メモリデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-292275
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116162
出願日： 2004年10月05日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】メモリセル密度を著しく低下させることなしに、抵抗性クロスポイントメモリセルアレイ内の磁気抵抗メモリ素子の抵抗状態を確実に検出すること。【解決手段】データ記憶デバイス(110)は、抵抗性メモリ素子(114)のクロスポイントアレイ(112)と、複数の遮断素子(120)とを含む。メモリ素子および遮断素子はグループに構成される。各グループは、直列に接続された複数のメモリ素子(114)及び1つの遮断素子(120)を含む。遮断素子(120)を用いて、読出し操作中にスニークパス電流がセンス電流を妨害しないようにする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

データ記憶デバイス(110)であって、抵抗性メモリ素子(114)のクロスポイントアレイ(112)および複数の遮断素子(120)を含み、前記メモリ素子(114)および前記遮断素子がグループに構成され、各グループが、直列に接続された複数のメモリ素子および1つの遮断素子を含む、データ記憶デバイス。

IPC (3件)：

G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08

FI (4件)：

G11C11/15 150 , G11C11/15 130 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083LA03 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,576,969号

審査官引用 (8件)

磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-176564 出願人：株式会社東芝
磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法ならびに記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155224 出願人：キヤノン株式会社
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155225 出願人：キヤノン株式会社

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