特許
J-GLOBAL ID：200903003039764380
処理方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302998
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132209
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 処理部において処理液の濃度を微細な精度に制御すると共に、歩留の向上を図る。【構成】 HMDS6をN2 ガスにより気化し、その気化されたHMDSガスを処理容器3内に導入して半導体ウエハWを処理する処理装置において、処理容器3内に配設される載置台21に加熱・冷却機構20を設ける。処理容器3からの排気管24にキャリアガス中に含有する処理液の濃度を測定する処理液濃度検出手段4を設ける。この処理液濃度検出手段4からの測定信号をCPU5に伝達し、CPU5から加熱・冷却機構20又は三方弁10、電磁開閉弁13に伝達する。これにより、処理容器3内において処理液の濃度を微細な精度に制御することができると共に、歩留の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
処理液をキャリアガスにより気化し、その気化された処理液を含有するキャリアガスを被処理体に作用させて被処理体を処理する処理方法において、上記キャリアガス中に含有する処理液の濃度を測定し、この測定によって求められた測定値に基いて被処理体の処理温度を制御することを特徴とする処理方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
