半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162726
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131021
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】遮光層を有する薄膜トランジスタを得る。【構成】マスク16を利用して窒素または酸素のイオン注入を行ない、活性層領域以外を18で示されるように窒化または酸化させる。材料として珪素やアルミを用いれば、上記の窒化または酸化によって透光性となるので、その領域は光を透過する。また、マスク16によってマスクされた領域は活性層として利用する。こうすることで、活性層は遮光され、他の領域は透光性を有する構成とすることができる。この構成は、アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素電極に設けられるTFTに利用できる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して、リン、ヒソ、ボロン、アルミから選ばれた少なくとも一種類の元素が添加された珪素膜上に形成された薄膜トランジスタであって、薄膜トランジスタが形成されている領域以外は、前記珪素膜が窒化珪素または酸化珪素となっており、透光性を有することを特徴とする半導体装置。

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