特許

J-GLOBAL ID：200903003042274245

太陽電池およびトンネルダイオード

発明者： 池田 英治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102608
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 比較的安価な製造コストで、高い電力変換効率を有する多接合型太陽電池を提供する。【解決手段】 Geからなる基板5の上に、ボトムセル2と、基板5と格子整合する組成yを有するn型のAly In1-y P層(第1の不純物閉込層)11と、基板5と格子整合する組成xを有するn型のInx Ga1-x P層(第1の高不純物密度層)12と、この組成xを有し、第1の高不純物密度層12と共にトンネル接合を形成するp型のInx Ga1-x P層(第2の高不純物密度層)13と、第1の不純物閉込層11と同じ組成yを有するp型のAly In1-y P層(第2の不純物閉込層)14と、トップセル1とを備える。

請求項（抜粋）：

Geからなる基板と、前記基板上に配置されたボトムセルと、前記ボトムセルの上部に配置され、前記基板と格子整合する組成yを有する第1導電型のAly In1-y P層からなる第1の不純物閉込層と、前記第1の不純物閉込層の上に配置され、前記基板と格子整合する組成xを有する第1の導電型のInx Ga1-x P層からなる第1の高不純物密度層と、前記組成xを有し、前記第1の高不純物密度層の上に、前記第1の高不純物密度層と共にトンネル接合を形成すべく配置された前記第1の導電型とは反対の導電型の第2導電型のInx Ga1-x P層からなる第2の高不純物密度層と、前記第2の高不純物密度層の上に配置され、前記組成yを有する前記第2導電型のAly In1-y P層からなる第2の不純物閉込層と、前記第2の不純物閉込層の上に配置されたトップセルとを備える太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/88

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 29/88 Z

Fターム (7件)：

5F051AA08 ,  5F051BA02 ,  5F051DA15 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04