特許

J-GLOBAL ID：200903003043244366

高抵抗率シリコン構造体およびその製造方法

発明者： ロバート・ジェイ・ファルスター ,  ウラディミール・ヴェー・ヴォロンコフ ,  ガリーナ・イー・ヴォロンコワ ,  アンナ・ヴェー・バトゥニナ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-512500
公開番号（公開出願番号）：特表2008-545605
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

本発明は、一般に高抵抗率CZシリコンウエハ、またはそれに由来する高抵抗率シリコン構造体、およびその製造方法に関する。特に、高抵抗率シリコン構造体はその基板として大直径CZシリコンウエハを含み、基板ウエハの抵抗率は、その中のアクセプター原子(例えば、ホウ素)の濃度から独立しており、基板の抵抗率は、その中のアクセプター原子の濃度に基づいて計算される抵抗率よりも実質的に高い。

請求項（抜粋）：

高抵抗率シリコン構造体の製造方法であって、 約50Ω-cm以上の初期抵抗率を有するCZ単結晶を有するシリコン構造体に、結果として得られる熱処理された構造体の基板が、サーマルドナー濃度[TD]:アクセプター濃度[A]の比率が約0.8:1〜約1.2:1の範囲であるサーマルドナー濃度[TD]およびアクセプター濃度[A]を有するような保持時間および温度で、熱処理を施すことを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/322 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

C30B29/06 B ,  H01L21/322 Y ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 N

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB06 ,  4G077FE11 ,  4G077HA05