特許
J-GLOBAL ID:200903003047572074

透明電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-319231
公開番号(公開出願番号):特開2001-189114
出願日: 2000年10月19日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 アルミニウム、ガリウム等の周期律表第III族元素が添加された酸化亜鉛からなる酸化亜鉛系透明電極であって、添加元素の添加量が制御された酸化亜鉛系透明電極、或いは膜厚方向において添加元素の濃度や種類が制御された酸化亜鉛系透明電極を簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛層の上層又は下層にアルミニウム、ガリウム等の周期律表第III族から選ばれる少なくとも1種の元素を含んでなる薄膜層を形成し、該薄膜に含まれる周期律表第III族元素を酸化亜鉛層に拡散させる。例えば、ガラス基板等の基板上に周期律表第III族から選ばれる少なくとも1種の元素を含んで成る薄膜層を形成した後に該薄膜層上に酸化亜鉛層を形成するに際し、酸化亜鉛層を形成する過程又は該酸化亜鉛層の形成後に、加熱するなどの方法により形成された酸化亜鉛層中に前記薄膜層に含まれる周期律表第III族元素を拡散させて酸化亜鉛系透明電極を製造する。
請求項(抜粋):
基板上に周期律表第III族から選ばれる少なくとも1種の元素を含んでなる薄膜層を形成した後、該薄膜層上に酸化亜鉛層を形成する酸化亜鉛系透明電極の製造方法であって、該酸化亜鉛層を形成する過程又は該酸化亜鉛層の形成後に、形成された該酸化亜鉛層中に前記薄膜層に含まれる周期律表第III族元素を拡散させることを特徴とする酸化亜鉛系透明電極の製造方法。
IPC (7件):
H01B 13/00 503 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 31/04 ,  C23C 14/34
FI (8件):
H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/08 C ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 14/34 K ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H

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