特許
J-GLOBAL ID:200903003048911557
SmFeN系磁石粉末及びそれを用いたボンド磁石
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-066731
公開番号(公開出願番号):特開2002-270414
出願日: 2001年03月09日
公開日(公表日): 2002年09月20日
要約:
【要約】【目的】 SmFeN系磁石粉末の150°C以上の高温度下で固有保磁力と耐酸化性を向上し、パーミアンスが2.0のとき150°Cにおける初期減磁率が5%未満であるボンド磁石を得る。【構成】 亜鉛処理されたSmFeN系磁石粉末のフィッシャー径が1.5〜5.5μmの範囲、BET値が0.1〜5.0m2/gの範囲であるSmFeN系磁石粉末とすることで、磁石粉末の固有保磁力は16kOe以上であり、残留磁化と固有保磁力の積が1700(emu/g)・(kOe)以上であるSmFeN系磁石粉末得る。
請求項(抜粋):
亜鉛処理されたSmFeN系磁石粉末であって、該磁石粉末の残留磁化と固有保磁力の積は1700(emu/g)・(kOe)以上であることを特徴とするSmFeN系磁石粉末。
Fターム (8件):
5E040AA11
, 5E040BB04
, 5E040CA01
, 5E040HB08
, 5E040HB17
, 5E040NN01
, 5E040NN12
, 5E040NN18
引用特許: