特許
J-GLOBAL ID：200903003052240616
モノリシックの同調可能なHBT能動的フィードバックを有する低ノイズ・低歪HEMTの低ノイズ増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-000837
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205328
出願日： 1997年01月07日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 モノリシック高電子移動度トランジスタ(HEMT)のスレッシュホールド電圧の変化を考慮するようにバイアス電流を調整するためのモノリシック集積回路を含むHEMT低ノイズ増幅器(LNA)マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)を提供する。【解決手段】 マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)として形成された低ノイズ増幅器(LNA)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含み、同調可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)能動的フィードバックを使用して、増幅器の利得-帯域巾及び直線性能を改善すると共に、HEMTの自己バイアスを与える。本発明のMMICは、自己バイアスを向上するのに加えて、MMIC LNAが製造された後に、ノイズ指数性能を著しく悪化することなく、LNAの周波数帯域巾及び直線特性を調整できるようにする。
請求項（抜粋）：
公称利得及び帯域巾を有する低ノイズ増幅器(LNA)において、ゲート、ドレイン及びソース端子を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)と、上記HEMTのゲートに対するフィードバック電流を与える手段と、第1のDC供給電圧を含む上記HEMTの自己バイアスを与える手段と、上記低ノイズ増幅器の外部にあって、上記低ノイズ増幅器の利得-帯域巾及び直線性を調整するための利得-帯域巾及び直線性調整手段とを備えたことを特徴とする低ノイズ増幅器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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