特許
J-GLOBAL ID：200903003054909599
半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325112
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182869
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】簡単な構成かつフラッシュライトのための回路のチップ面積の増大を抑えることができ、しかもフラッシュライトを確実に行うことができるようにする。【構成】半導体記憶素子がMOS構造の記憶素子からなる半導体記憶装置において、予め定めた複数の記憶素子のバックゲートに、そのMOS構造の記憶素子がラテラル構造のバイポーラ寄生トランジスタとなって動作する電圧を印加させて各記憶素子を同じ内容に書き換えるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体記憶素子がMOS構造の記憶素子からなる半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、予め定めた複数の記憶素子のバックゲートに、該MOS構造の記憶素子がラテラル構造のバイポーラ寄生トランジスタとなって動作する電圧を印加させて各記憶素子を同じ内容に書き換えるようにした半導体記憶装置のデータ書き込み方法。
IPC (2件)：
G11C 11/41
, H01L 27/10 371
