特許

J-GLOBAL ID：200903003055693581

半導体レーザ

発明者： 新田 康一 ,  渡邊 実 ,  岡島 正季
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-139230
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335683
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 素子抵抗を小さくすることができ、温度特性に優れた広ストライプ半導体レーザを提供すること。【構成】 InGaAlP系半導体材料からなり、アンドープInGaP活性層15をp型及びn型のInGaAlPクラッド層13,17で挟んだダブルヘテロ構造部と、活性層15における発光領域をストライプ状に制限する電流狭窄機構を備えた半導体レーザにおいて、活性層15とp型クラッド層17との間に、p型クラッド層17中の不純物が活性層15に拡散するのを防止する、p型クラッド層17よりもAlの組成比の小さいアンドープInGaAlP拡散防止層16とを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体材料からなり、活性層をp型及びn型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、前記活性層とp型クラッド層との間に設けられ、p型クラッド層中の不純物が活性層に拡散するのを防止する拡散防止層と、前記活性層における発光領域をストライプ状に制限する電流狭窄手段とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ。