特許

J-GLOBAL ID：200903003059151112

β-FeSi2材料およびその作製方法

発明者： 三宅 潔 ,  佐川 雅一 ,  大橋 健也 ,  峯村 哲郎 ,  林原 光男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125271
公開番号（公開出願番号）：特開平10-317086
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】【課題】本発明は熱電発電素子や赤外線発光素子および受光素子,光導波路素子などに使用されるβ-FeSi2 材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明はβ-FeSi2 中に含まれるマンガン,アルミニウム,コバルト,クロム,ニッケル以外の不純物元素の濃度が100ppm 以下であり、光学的バンドギャップが0.75eV〜1.0eVの範囲にあることを特徴とするβ-FeSi2材料。

請求項（抜粋）：

β-FeSi2 中に含まれるマンガン,アルミニウム,コバルト,クロム,ニッケル以外の不純物元素の濃度が100ppm 以下であり、光学的直接エネルギーバンドギャップが0.75eV以上〜0.9eV以下の範囲にあることを特徴とするβ-FeSi2 材料。

IPC (5件)：

C22C 28/00 ,  C01B 33/06 ,  C22C 1/00 ,  C22C 33/00 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C22C 28/00 B ,  C01B 33/06 ,  C22C 1/00 Q ,  C22C 1/00 L ,  C22C 33/00 ,  H01L 33/00 A