特許
J-GLOBAL ID：200903003059236797
波長可変発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101743
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275746
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 発光ダイオードの発光色を電圧により効率良く可変すること。【構成】 発光ダイオード領域Bの最上半導体層111上にエピ成長により光吸収制御半導体領域Aを形成。領域Bの発光した光を領域Aに透過させる。領域Aは3つの量子井戸Q1、Q2、Q3の幅及び各障壁の幅は伝導帯における量子準位が整合された共鳴状態において各量子井戸における電子の波動関数が相互作用を有する程度に形成。且つ、各量子井戸の幅及び物質は、電界を印加しない状態又は適切な電界を接合に垂直に印加した状態で、伝導帯においてのみ各量子井戸における量子準位が整合された共鳴状態となるように設定。接合に垂直な方向の電界成分を制御して光吸収スペクトル特性を変化させ、透過光を吸収。電圧制御により透過光のスペクトルが可変。
請求項（抜粋）：
半導体層の接合面から光を放射する発光ダイオードにおいて、光を放射する半導体層の接合面を有する発光ダイオード領域と、前記発光ダイオード領域で発光された光を入射する光吸収制御半導体領域とを有し、前記光吸収制御半導体領域は、バンドギャップの異なる異種半導体の接合により形成され、エネルギーダイヤグラムにおいてエネルギー障壁により囲まれた量子準位を有する少なくとも3つの量子井戸から成り、各量子井戸の幅及び各障壁の幅は、各量子井戸において伝導帯または価電子帯のいずれか一方のバンドにおける量子準位が整合された共鳴状態において各量子井戸における電子の波動関数が相互作用を有する程度に形成され、且つ、各量子井戸の幅及び物質は、電界を印加しない状態又は適切な電界を前記接合に垂直に印加した状態で、一方のバンドにおいてのみ、そのバンドにおける各量子井戸における量子準位が整合された共鳴状態となるように設定されており、電界の前記接合に垂直な方向の成分を制御することにより光吸収を変化させる装置で構成された波長可変発光ダイオード。
IPC (2件)：
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