特許

J-GLOBAL ID：200903003060899813

配線構造及びその形成方法

発明者： 鈴木 説男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212480
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045688
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の配線間における短絡を防止する。【解決手段】 TiN膜24、AlCu膜23及びTiN膜22を配線のパターンに加工した後、窒素を含む雰囲気中でのプラズマ処理等を行い、TiN膜22、24から露出しているAlCu膜23の側面にAl3 N膜26を形成して、積層構造のAl配線27を完成させる。Al3 N膜26はAlCu膜23よりも高硬度で且つ高密度であるので、このAl3 N膜26が保護膜になって、側方へのヒロックが形成されにくい。

請求項（抜粋）：

配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密度の材料から成る保護膜によって前記配線の側面が覆われていることを特徴とする配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N