特許

J-GLOBAL ID：200903003062965163

化合物半導体装置

発明者： ジョン ケビン トワイナム
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114954
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315595
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【構成】 化合物半導体基板11上に少なくとも1層の導電層からなる電極が形成された化合物半導体装置であって、化合物半導体基板11上に順次炭素層12及び導電層13が積層されて電極が形成されるか、あるいは化合物半導体基板上に順次第1の導電層及び炭素層が形成され、さらに該炭素層上に第2の導電層が積層されて電極が形成されている化合物半導体装置。【効果】 化合物半導体基板への炭素の拡散係数は非常に低いため、炭素層は電極である金属原子の基板への拡散を防ぎ、熱的に安定なバリアとして作用し、電極である金属原子の化合物半導体基板への拡散によるオーミックコンタクト性及びショットキーコンタクト性の低下を防止する。また、特にP型化合物半導体基板において、炭素が化合物半導体基板の構成原子と一部置換し、アクセプタとして作用するため基板と電極とのコンタクト部の抵抗を低減することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に少なくとも1層の導電層からなる電極が形成された化合物半導体装置であって、前記化合物半導体基板上に順次炭素層及び導電層が積層されて電極が形成されるか、あるいは前記化合物半導体基板上に順次第1の導電層及び炭素層が形成され、さらに該炭素層上に第2の導電層が積層されて電極が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/46 ,  H01L 29/48 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-252427