特許
J-GLOBAL ID：200903003062985180

メモリ装置のリフレッシュ方法

発明者：
許 晃

許 晃 について

, 
金 泰 潤

金 泰 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-134894
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147123
出願日： 2005年05月06日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 パイルドリフレッシュ方式を用いる半導体メモリ装置に適用することができる、リフレッシュ動作時の電力消費量が少ないリフレッシュ方法を提供すること。 【課題手段】 N個のバンクを有するメモリ装置のリフレッシュ方法において、セルフリフレッシュモードでは、N個のバンクすべてをリフレッシュする場合には、N個のバンクを順次リフレッシュするパイルドリフレッシュ方式によってリフレッシュ動作を実行し、N個のバンクのうち、i個(1≦i≦N-1)のバンクをリフレッシュする場合には、PASR方式によってリフレッシュ動作を実行し、オートリフレッシュモードでは、パイルドリフレッシュ方式によってリフレッシュ動作を実行する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
N個のバンクを有するメモリ装置のリフレッシュ方法において、 前記N個のバンクをすべてリフレッシュする場合には、パイルドリフレッシュ動作を実行し、 前記N個のバンクのうち、i個(1≦i≦N-1)のバンクをリフレッシュする場合には、パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)方式によってバーストリフレッシュ動作を実行することを特徴とするメモリ装置のリフレッシュ方法。
IPC (2件)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/403
FI (2件)：
G11C11/34 363K ,  G11C11/34 363M
Fターム (14件)：
5M024AA04 ,  5M024AA14 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE02 ,  5M024EE05 ,  5M024EE07 ,  5M024EE08 ,  5M024EE17 ,  5M024JJ03 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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