特許
J-GLOBAL ID：200903003070786456
光半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-254804
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112588
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】この発明は、結合損失を小さくでき、反射を抑制でき、大出力化しえることを主要な目的とする。【構成】基板(31)上に、第1クラッド層(32),光導波路層(33)及び量子井戸活性層(34)を順次介してメサ状第2クラッド層(35)を設け、この第2クラッド層(35)を電流ブロック層(40)で埋め込んでなる光半導体素子において、少なくとも活性領域と光の伝播方向に沿う前記活性領域の両サイドのウィンドウ領域とに区分けされ、前記活性層(34)の両端面は前記活性領域とウィンドウ領域の境界でテーパ状に除去され、この除去されたテーパ状の活性層(34)には該活性層(34)のバンドギャップよりも広いテーパ状の半導体層(出力導波路層)(37)が結合され、かつ前記半導体層(37)の外側寄りの端面もテーパ状であることを特徴とする光半導体素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1クラッド層,光導波路層及び量子井戸活性層を順次介してメサ状第2クラッド層を設け、この第2クラッド層を電流ブロック層で埋め込んでなる光半導体素子において、少なくとも活性領域と光の伝播方向に沿う前記活性領域の両サイドのウィンドウ領域とに区分けされ、前記活性層の両端面は前記活性領域とウィンドウ領域の境界でテーパ状に除去され、この除去されたテーパ状の活性層には該活性層のバンドギャップよりも広いテーパ状の半導体層が結合され、かつ前記半導体層の外側寄りの端面もテーパ状であることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
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