特許

J-GLOBAL ID：200903003070922562

縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 山田 学 ,  川原 実
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289314
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 ドレイン-ソース間の降伏電圧が向上されるとともに破壊耐量が向上された縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法を実現すること。【解決手段】 表面にソースおよび格子状のゲート、裏面にドレインを有しチャネル部が環状で多角形をなす縦型電界効果トランジスタにおいて、多角形チャネルの頂点の部分にベース領域と同一導電型の高濃度ベース領域を有し、チャネルを形成するベース領域が平坦であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面にソースおよび格子状のゲート、裏面にドレインを有しチャネル部が環状で多角形をなす縦型電界効果トランジスタにおいて、多角形チャネルの頂点の部分にベース領域と同一導電型の高濃度ベース領域を有し、チャネルを形成するベース領域が平坦であることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-149057
  
• 特開昭60-186068
  
• 特開昭59-074674
  
• 特開昭58-153368