特許
J-GLOBAL ID：200903003073280499
静電チャック
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131437
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330403
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【構成】導電体6とそれを被覆する絶縁膜7から構成され、載置される試料と前記導電体6との間に直流電圧が印加されて前記絶縁膜7上に試料が吸着される静電チャックにおいて、前記導電体6の内部に冷媒流路部1があり、冷媒の流路が複数形成され、前記冷媒の流路が周辺部流路51、53と中央部流路52に分けられ、周辺部流路51、53のコンダクタンスを中央部流路52のコンダクタンスより大きくした静電チャック。【効果】半導体基板に各種のプラズマ処理を施す半導体製造装置等において用いられ、基板面内の均一性の良いプラズマ処理を可能とし、またエッチング処理においては基板周辺部のレジスト焼けを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
導電体とそれを被覆する絶縁膜から構成され、載置される試料と前記導電体との間に直流電圧が印加されて前記絶縁膜上に試料が吸着される静電チャックにおいて、前記導電体の内部に冷媒の流路が複数形成され、前記冷媒の流路が周辺部流路と中央部流路とに分けられており、周辺部流路のコンダクタンスが中央部流路のコンダクタンスより大きいことを特徴とする静電チャック。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
