特許

J-GLOBAL ID：200903003086266100

二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ

発明者： 加藤 和之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315694
公開番号（公開出願番号）：特開平5-149814
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】測定される圧力がシールダイヤフラムで区切られた空間に満たされた液体を介して歪みゲージを有するダイヤフラム部に加わる二重ダイヤフラム式の半導体センサの小形化、低コスト化をはかる。【構成】歪みゲージブリッジの出力を処理する信号処理回路の回路素子をダイヤフラム部を有する半導体素体に集積することにより、部品数を少なくし、小形化、低コスト化、高信頼性化を達成する。そしてこれは、絶対圧検出用、相対圧検出用あるいは差圧検出用のいずれの圧力センサにも適用できる。

請求項（抜粋）：

半導体素体の一面から凹部を形成することによって生ずるダイヤフラム部にブリッジを構成する歪みゲージを有し、そのダイヤフラム部の表面と周縁が前記半導体素体を収容する容器に気密に結合されたシールダイヤフラムとの間に存在する閉ざされた空間に液体が満たされていて、シールダイヤフラムの液体側の面が圧力を導く穴の有する容器蓋部に対向することによって生ずる歪みゲージブリッジの出力が信号処理回路によって出力信号に変換されるものにおいて、信号処理回路の回路素子を前記半導体素体内および表面上に備え、その信号処理回路から引出される出力端子、電源電圧を加えるための端子および半導体素体を接地するための端子の三つの端子が前記容器を貫通することを特徴とする二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ。