電子線処理方法および電子線処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043777
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237212
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ-プロセスの工程であるアッシング、洗浄、平坦化を電子線照射装置によって行うこと。装置を統合して単純化すること。【解決手段】大気中の回転装置上においた基板に薬液を供給しながら回転させ、電子線を照射してオゾン或いは水素プラズマ、酸素プラズマ又はハロゲンプラズマを発生させて基板処理をする。

請求項（抜粋）：

大気中の回転装置上においた基板に薬液を供給しながら回転させ電子線を照射してオゾン或いは酸素、水素、ハロゲンのプラズマを発生させて基板処理をさせる事を特徴とする電子線処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 645 , G21K 5/04 , H01L 21/306 , H05H 1/24

FI (4件)：

H01L 21/304 645 C , G21K 5/04 E , H05H 1/24 , H01L 21/306 D

Fターム (7件)：

5F043AA02 , 5F043BB27 , 5F043CC16 , 5F043DD15 , 5F043EE08 , 5F043EE40 , 5F043FF07

前のページに戻る