特許

J-GLOBAL ID：200903003091356435

金属画像の形成方法及び電気配線基板

発明者： 高木 良博 ,  長田 崇一郎
出願人/特許権者： 富士フイルムオーリン株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084165
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284315
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 金属薄膜の膜厚の均一性が高く、線幅の変動も少ない高度に微細な金属薄膜のパターン画像を安価で簡易に作製できる微細金属電子回路パターンを作製する方法を提供する。【解決手段】 水溶性金属化合物と還元性化合物とを含有し、還元性化合物の酸化電位が水溶性金属化合物の還元電位よりも卑(低電位)であるように調製したアルカリ性水溶液を、フォトレジスト材料を用いて形成させた微細なレジストパターンを表面に有する基板と接触させて、基板上に金属薄膜を沈着形成させる方法において、基板上に金属析出核を存在させたのちにアルカリ水溶液を基板と接触させて金属を析出させ、そののち、レジストパターンを剥離して、微細な金属薄膜パターンを形成させる金属画像の形成方法。

請求項（抜粋）：

水溶性金属化合物と還元性化合物とを含有し、還元性化合物の酸化電位が水溶性金属化合物の還元電位よりも卑(低電位)であるように調製したアルカリ性水溶液を、フォトレジスト材料を用いて形成させた微細なレジストパターンを表面に有する基板と接触させて、該アルカリ水溶液から該基板上に金属薄膜を沈着させたのち、該レジストパターンを剥離して、微細な金属薄膜パターンを基板上に形成させる方法において、上記基板上に金属析出核を設けたのちに該アルカリ水溶液を基板と接触させることを特徴とする金属画像の形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/18 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  C23C 18/31

FI (4件)：

H05K 3/18 E ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  C23C 18/31 F