特許
J-GLOBAL ID：200903003093198268

半導体装置用インターポーザー、その製造方法および半導体装置

発明者：
真篠 直寛

真篠 直寛 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326305
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 ノイズの吸収に優れ、小型化が可能で、製造コストの低減化も図れる半導体装置用インターポーザーを提供する。【解決手段】 耐熱性を有する絶縁体10と、該絶縁体10に形成された複数個のスルーホール12と、該スルーホール12のうち、所要数のスルーホール12内壁に形成された導体部14を通じて電気的に接続される、絶縁体10の表裏面に形成された配線パターン16と、スルーホール12のうち、所要数のスルーホール12内壁に形成された導体部14を通じて電気的に接続される、絶縁体10の表裏面に形成された第1の電極部18と、該第1の電極部18上に形成された誘電体層20と、該誘電体層20上に形成された第2の電極部24とを有し、第1の電極部18、誘電体層20、第2の電極部24とからなるキャパシタ28が所要数形成されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
実装基板と、該実装基板に搭載される半導体チップとの間に介挿されるインターポーザーであって、耐熱性を有する絶縁体と、該絶縁体に形成された複数個のスルーホールと、該スルーホールのうち、所要数のスルーホールの内壁に形成された導体部を通じて電気的に接続される、前記絶縁体の表裏面に形成された配線パターンと、前記スルーホールのうち、所要数のスルーホールの内壁に形成された導体部を通じて電気的に接続される、前記絶縁体の表裏面に形成された第1の電極部と、該第1の電極部上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された第2の電極部とを有し、前記第1の電極部、誘電体層および第2の電極部からなる所要数のキャパシタが形成されていることを特徴とする半導体装置用インターポーザー。
IPC (2件)：
H01L 23/32 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 23/32 D ,  H01L 23/12 B
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-085923   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028003   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体チップキャリヤ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019708   出願人：富士通株式会社

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