特許

J-GLOBAL ID：200903003093230110

半導体基板の露光方法及び露光装置

発明者： 川島 英顯
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112105
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の露光直前の状態において、光学系の焦点深度に対する半導体基板の平坦度の良否を正確に管理することができるようにする。【構成】 ウエハチャック7上に保持されたウエハ6の平坦度を全面にわたってギャップセンサ10により測定する。CPU12は、記憶部11に記憶された平坦度の値と予め設定された光学系の焦点深度の値とを比較してその大小を判定する。平坦度が焦点深度以内の場合には露光を開始する。平坦度が焦点深度よりも大きい場合には露光を行わず、アラーム13を作動させてウエハ着脱機構9によりウエハ6をウエハチャック7上から排出して次のウエハ6を装着する。【効果】 デフォーカスに起因する解像不良部分の発生を未然に防止できるので、品質上の信頼性の向上並びに歩留りの向上を図ることができ、再生率低減による露光装置の処理能力の向上及び作業時間の短縮化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持部材上に保持して光学系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基板の露光方法において、前記保持部材上に保持された前記半導体基板の平坦度を全面にわたって測定し、この測定した平坦度と予め設定した前記光学系の焦点深度とを比較してその大小を判定し、前記平坦度が前記焦点深度以内の場合にのみ前記半導体基板を露光することを特徴とする半導体基板の露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/30 101 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 N ,  H01L 21/30 311 L