特許
J-GLOBAL ID：200903003093780536
ポリシリコン中の不純物の検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172890
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029953
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 微量な不純物でも容易に、かつ、精度良く検出することのできるポリシリコン中の不純物の検出方法を提供する。【構成】 表面にポリシリコン膜が形成されたウエハ2を下部電極3上に載置し、酸素ガス供給源6から上部電極4の透孔5を介してウエハ2に酸素ガスを供給しつつ、高周波電源8から下部電極3と上部電極4との間に高周波電圧を印加し、この酸素ガスをプラズマ化して、ウエハ2のポリシリコン膜の酸化を行う。この後酸化膜に弗化水素蒸気を供給して、化学的に反応させて水滴を発生させ、水滴を回収して該水滴中の不純物を検出する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたポリシリコン膜中に含まれる不純物を検出するにあたり、前記ポリシリコンを、プラズマあるいはオゾンを用いた低温酸化により酸化して酸化膜を生成する工程と、前記酸化膜に弗化水素蒸気を供給し、化学的に反応させて水滴を発生させる工程と、前記水滴を回収して該水滴中の不純物を検出する工程とを有することを特徴とするポリシリコン中の不純物の検出方法。
引用特許：
前のページに戻る
