特許
J-GLOBAL ID：200903003095388870
磁気メモリ素子、この磁気メモリ素子の情報記録方法および情報記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334168
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177783
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 出力値が大きく且つ高密度化が容易な磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】 巨大磁気抵抗効果を用いて情報を記録する情報記録部を2個備え、且つ、これらの2個の情報記録部110,150に同時に逆方向の磁界を与えるように設けられた磁界形成用電極130を備える。そして、これらの情報記録部110,150の抵抗値の差を記憶情報とすることにより、参照用磁気メモリ素子を用いることなく十分な出力レベルを確保する。
請求項（抜粋）：
非磁性体を介して積層された2層以上の強磁性体の磁化方向の差を情報として記憶するとともにこの磁化方向の差を電気抵抗値として読み出す情報記録部を用いた磁気メモリ素子において、基板上に設けられた第1の前記情報記録部と、この第1の情報記録部の近傍に設けられた第2の前記情報記録部と、前記第1の情報記録部および前記第2の情報記録部に同時に逆方向の磁界を与えるように、この第1の情報記録部およびこの第2の情報記録部の近傍に設けられた磁界形成用電極と、を備えたことを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, H01L 43/08 Z
