特許

J-GLOBAL ID：200903003101845227

半導体記憶装置

発明者： 藤井 康宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029698
公開番号（公開出願番号）：特開平5-225780
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 蓄積容量を選択トランジスタにより、充放電させ情報の記憶を行なう半導体記憶装置に関し、大容量化及び低消費電力化が容易に実現できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 セル1a,1bに接続されたワード線BLz ,BLx 上にトランジスタTr8 ,Tr9 を設け、ワード線WL0 ,WL1 のロー側レベルを接地電位VssにトランジスタTr8 ,Tr9 のスレッショルド電圧Vthに引き上げる。

請求項（抜粋）：

ビット線(BLx ,BLz )が選択トランジスタ(Q1 ,Q2 )を介して蓄積容量(C1 ,C2 )と接続され、該選択トランジスタをワード線(WL0 ,WL1 )に供給されるワード線駆動信号でスイッチング制御することにより前記ビット線(BLx ,BLz )に生じる情報信号をセンスアンプ(4b)に供給して情報の読み出しを行なう半導体記憶装置において、前記ビット線(BLz ,BLx )のロー側レベルを前記ワード線(WL0 ,WL1 )のロー側レベルより大きい値に変換するレベル変換手段(12)を有することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-191499
  
• 特開平2-185793
  
• 特開昭58-189898