特許
J-GLOBAL ID：200903003104114819
ガリウム-インジウム酸化物を含む透明導電体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182924
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ガリウム-インジウム酸化物を含む透明導電体を提供する。【構成】 出願人は異価ドープ・ガリウム-インジウム酸化物(GaInO3)は、透明性を増し、屈折率の整合性を改善し、現在用いられている広禁制帯半導体と同程度の導電性を実現することを、見い出した。材料は4価原子のような異価ドーパントを少量ドープすることにより、10ミリオーム-cmより小さな抵抗率にできる。それは約1.6の屈折率を有し、多結晶薄膜として、ガラス基板上に堆積できる。
請求項（抜粋）：
GaInO3を含む透明導電性材料。
IPC (3件)：
H01B 5/14
, C01G 15/00
, C23C 14/08
