特許

J-GLOBAL ID：200903003105606375

半導体素子の製造方法

発明者： 野崎 義明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181334
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 受光素子の活性層内の光キャリアのライフタイムを長くする。【構成】 P型半導体基板1の裏面からのみ酸素を拡散し酸素拡散層5を形成する。P型半導体基板1の裏面の酸素濃度3を活性層の酸素濃度よりも高くする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面からのみ酸素を拡散する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-206830
  
• 特開平2-181477
  
• 特開昭63-142822
  
• 特開平4-355959