特許

J-GLOBAL ID：200903003106756222

半導体装置

発明者： 渡邊 正博
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041454
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】素子分離領域上での配線間の接続において、接続の為のコンタクトと下層電極とのずれにより各電極がシリコン基板と接続され、製造歩留を低下させることを防ぐ。【構成】半導体装置の素子分離領域となる厚い酸化ケイ素膜2の上を窒化ケイ素膜3が覆っている。【効果】下層電極とコンタクトがずれた場合でも、コンタクト形成の為の酸化膜エッチングが窒化ケイ素膜のところで止まり、上層電極,下層電極がシリコン基板と接続される事がない。これによりコンタクトと下部電極のずれによる製造歩留の低下を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

多層電極を有する半導体装置の素子分離領域において、前記素子分離領域となる厚い酸化ケイ素膜上を窒化ケイ素膜が覆っている事を特徴とする半導体装置。