特許

J-GLOBAL ID：200903003108562948

多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージ

発明者： 四方 邦英 ,  窪田 武志 ,  古澤 明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270128
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122681
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】内部に高誘電体層を有しながら、安定した電気的特性と優れた気密性及び機械的強度を有し、電極層と高誘電体層や絶縁層との間に優れた密着性、気密性及び層間接着強度が得られるとともに、電極層構成材料の高誘電体層への拡散移行が抑制される配線基板及びパッケージを提供する。【構成】高誘電体層を、アルミナ粒子と、W,Mo,Re及びZrO2 の少なくとも一種の高誘電率付与剤粒子と、これらの粒界に存在するAl,Si,アルカリ土類金属及び希土類元素の少なくとも1種の酸化物を含むガラス相とから構成し、電極層を、W及びMoの少なくとも一種の金属を主成分として構成し、絶縁層を、アルミナ粒子と、Al,Si,アルカリ土類金属及び希土類元素の少なくとも1種の元素の酸化物を含むガラス相とから構成するものである。

請求項（抜粋）：

高誘電体層を一対の電極層により挟持し、さらにこれを一対の絶縁層により挟持してなる多層アルミナ質配線基板であって、前記高誘電体層を、アルミナ粒子と、W,Mo,Re及びZrO2 から選択される少なくとも一種の高誘電率付与剤粒子と、これらの粒界に存在するAl,Si,アルカリ土類金属及び希土類元素の内少なくとも1種の元素の酸化物を含むガラス相とから構成し、前記電極層を、W及びMoから選択される少なくとも一種の金属を主成分として構成し、前記絶縁層を、アルミナ粒子と、Al,Si,アルカリ土類金属及び希土類元素の内少なくとも1種の元素の酸化物を含むガラス相とから構成することを特徴とする多層アルミナ質配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 P