特許

J-GLOBAL ID：200903003111740105

半導体集積回路装置

発明者： 三谷 恒夫 ,  深山 昌敬 ,  細江 英之 ,  佐々木 圭治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252031
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106417
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体集積回路装置の動作速度の高速化を図る。【構成】 互いに絶縁層を介在して積層される複数の配線層を備え、該配線層の上層配線層に配置された配線9と、下層配線層に配置された配線6とが交差する部分を有する半導体集積回路装置において、前記配線の交差する部分の少なくとも一方9の配線幅を交差しない部分の配線幅より細くする。また、前記配線幅を細くした部分の配線の厚さを当該同一配線の交差しない部分よりも厚くする。

請求項（抜粋）：

絶縁層を介在して積層される複数の配線層を備え、該配線層の上層配線層に配置された配線と、下層配線層に配置された配線とが交差する部分を有する半導体集積回路装置において、前記配線の交差する部分の少なくとも一方の配線幅を交差しない部分の配線幅より細くしたことを特徴とする半導体集積回路装置。