キャビティ内に部分的に製造されたコンデンサ構造を備えたDRAMセル及びその作動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-561262
公開番号（公開出願番号）：特表2004-527901
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

半導体基板内に製造されたアクセス・トランジスタ及びコンデンサ構造を含んでいるDRAMセルを含むメモリ・システム。このコンデンサ構造は、浅い溝絶縁領域の内部にキャビティを形成し、それにより、基板の上面の下の、基板の側壁部分を露出することによって製造される。このコンデンサ構造は、基板の上面の下に、少なくとも部分的にキャビティ内に形成される。このコンデンサ構造は、基板の側壁の上に延在しており、それにより、コンデンサ構造の面領域が増大されると同時にコンデンサ構造のレイアウト領域が最小化される。このメモリ・システムは、ワード・ライン・ドライバに結合された正及び/又は負のブースト電圧ジェネレータを含んでいてよい。正のブースト電圧は、VDDを1ダイオード電圧降下上回る値よりも小さい。負のブースト電圧は、1ダイオード電圧降下の絶対値下回る値だけVSSよりも小さい。

請求項（抜粋）：

アクセス・トランジスタ及びコンデンサ構造を備えたDRAMセルを形成するための方法であって、第1導電型を備えた半導体基板内にフィールド誘電体を形成するステップであって、前記フィールド誘電体は前記半導体基板の上面の下に延在している、ステップと、前記フィールド誘電体内にキャビティを形成するステップであって、前記キャビティは前記上面の下に延在し、且つ前記上面の下の前記半導体基板の側壁部分を露出する、ステップと、前記コンデンサ構造が前記側壁部分の上に延在し、且つ前記上面の下で少なくとも部分的に凹んでいるように、前記キャビティ内に前記コンデンサ構造を形成するステップとを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L21/8242 , G11C11/407 , H01L27/108

FI (5件)：

H01L27/10 615 , H01L27/10 621C , H01L27/10 625B , H01L27/10 625C , G11C11/34 354D

Fターム (25件)：

5F083AD14 , 5F083AD18 , 5F083AD19 , 5F083AD31 , 5F083AD52 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083NA01 , 5F083PR34 , 5M024AA06 , 5M024BB08 , 5M024BB35 , 5M024BB36 , 5M024CC25 , 5M024CC35 , 5M024FF04 , 5M024HH13 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP04 , 5M024PP05 , 5M024PP07

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