特許

J-GLOBAL ID：200903003114892267

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152676
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312350
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 バッファ層上に成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を改善する。窒化ガリウム系化合物半導体を安定して、歩留よく成長させる。【構成】 バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる。バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させる。窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、一般式を、GaXAl1-XN(但しXは0.5≦X≦1の範囲である)とするバッファ層を、成長温度を200°C以上900°C以下にして成長させる。

請求項（抜粋）：

バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、一般式を、GaXAl1-XN(但しXは0.5≦X≦1の範囲である。)とするバッファ層を、成長温度を200°C以上900°C以下にして成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-297023