特許

J-GLOBAL ID：200903003115982510

アニール方法、結晶化方法及び半導体装置

発明者： 小川 裕之 ,  平松 雅人 ,  十文字 正之 ,  木村 嘉伸 ,  加藤 智也 ,  谷口 幸夫 ,  松村 正清
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154939
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340373
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】低パワーかつ低温で大粒径の結晶粒をち密に形成することができる結晶化方法を提供する。【解決手段】少なくとも位相変調レーザ光の特性、キャップ膜の物性と膜厚、結晶化対象膜の物性と膜厚を含む初期データと実験とに基づいて、照射後の非単結晶半導体膜の状態変化に対する変調レーザ光の入射光のフルエンスとキャップ膜の膜厚との相関データを作成し、相関データに基づいてキャップ膜の膜厚をそれぞれ選択し、選択した入射光のフルエンスをもつレーザ光を選択した膜厚のキャップ膜側から非単結晶半導体膜に照射し、該非単結晶半導体膜を溶融させ、結晶化させ、その結晶粒をラテラル成長させる。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

キャップ膜を表面に有する非単結晶半導体膜上の前記キャップ膜側からレーザ光を入射させることにより前記非単結晶半導体膜をアニールする方法であって、前記キャップ膜の膜厚は、前記レーザ光の前記キャップ膜層における多重反射の効果により決まる反射光の割合が最も小さくなるように決められた値であることを特徴とするアニール方法。

IPC (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G

Fターム (47件)：

5F052AA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052EA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35