特許

J-GLOBAL ID：200903003118296758

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  加藤 久喜 ,  佐々 道成 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316598
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151963
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】発光色をより青色に近づけること。【構成】n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、n層とp層との間にZnを添加した窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のi層を設けた。半絶縁層の厚さは、20〜3000Åである。Znをドープの半絶縁性のi層により485 〜490nm の発光が得られ、全体として450 〜480nm の発光が得られた。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記n層と前記p層との間にZnを添加した窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のi層を設けたことを特徴とする発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-228776
  
• 特開平4-010665