特許
J-GLOBAL ID：200903003119443860
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-029986
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 高性能のレジストを用いて、ドライエッチングで高精度に薄膜パターンを形成する。【構成】 感光性のポリイミドあるいはポリアミド酸を気相重合により成膜し、この気相重合膜1をレジストとして、下層の被加工薄膜2の高精度パターン化を可能とした。【効果】 蒸着重合により合成するので、成膜中に感光基を損なうことがなく、安定した感光性を示す。また、このレジストはエッチング耐性が高いため、下層の有機膜あるいは炭素膜を直接パターン化できる。薄膜パターン加工の精度および生産性を向上する効果がある。
請求項（抜粋）：
レジストを気相重合法によって形成し、ドライエッチングによってレジストのない部分の被加工材料を除去してパターンを形成する方法において、前記レジストがジアミンと酸二無水物から蒸着重合により形成されるポリイミドあるいはポリアミド酸であり、前記ジアミンと酸二無水物のうち少なくとも一方がケイ素を含有する化合物であることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (8件)：
G03F 7/075 511
, C23C 14/12
, C23F 4/00
, G03F 7/037 501
, G03F 7/038 504
, G03F 7/36
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
H01L 21/30 502 R
, H01L 21/302 H
