特許
J-GLOBAL ID:200903003124684182

薄膜光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-082600
公開番号(公開出願番号):特開2001-274431
出願日: 2000年03月23日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 変換効率を向上させることができる薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 薄膜光電変換装置1は、ガラス基板11と、ガラス基板11の上に形成された、実質的に非晶質シリコンからなるi型非晶質シリコン層13iを含み、厚みが0.1〜0.2μmの非晶質型光電変換ユニット13と、非晶質型光電変換ユニット13の上に形成された、非晶質シリコンと屈折率が異なる透明導電層21と、透明導電層21の上に形成された、実質的に多結晶シリコンからなるi型多結晶質シリコン層14iを含む多結晶型光電変換ユニット14とを備える。
請求項(抜粋):
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板の上に形成された、実質的に非晶質シリコンからなる光電変換層を含み、厚みが0.1μm以上0.2μm以下の非晶質型光電変換ユニットと、前記非晶質型光電変換ユニットの上に形成された、前記非晶質シリコンと屈折率が異なる透明導電層と、前記透明導電層の上の形成された、実質的に多結晶シリコンからなる光電変換層を含む多結晶型光電変換ユニットとを備えた、薄膜光電変換装置。
FI (2件):
H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 W
Fターム (7件):
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03
引用特許:
審査官引用 (13件)
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