特許
J-GLOBAL ID：200903003129532844
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038493
公開番号（公開出願番号）：特開平9-228033
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：
【要約】【課題】 エネルギービーム加熱式真空蒸着法において、エネルギー源の削減を可能にし、不純物除去処理と成膜処理の連続繰り返しを可能にし、浮遊不純物除去処理を効率化できる方法を提供する。【解決手段】 真空下、坩堝中の蒸着材料にエネルギービームを照射することにより前記蒸着材料を加熱して溶融蒸発させ基材に蒸着させて前記基材の表面に薄膜を形成する方法において、前記蒸着材料の溶かし込みから成膜に到る適宜の過程で、坩堝中の溶融液の液面に浮遊する不純物を除去する必要が生じたときに、単一のエネルギービーム源より発する前記エネルギービームを成膜時のエネルギーレベルよりも高いエネルギーレベルにして前記不純物に照射することにより前記浮遊不純物を除去するようにすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空下、坩堝中の蒸着材料にエネルギービームを照射することにより前記蒸着材料を加熱して溶融蒸発させ基材に蒸着させて前記基材の表面に薄膜を形成する方法において、前記蒸着材料の溶かし込みから成膜に到る適宜の過程で、坩堝中の溶融液の液面に浮遊する不純物を除去する必要が生じたときに、単一のエネルギービーム源より発する前記エネルギービームを成膜時のエネルギーレベルよりも高いエネルギーレベルにして前記不純物に照射することにより前記不純物を除去することを特徴とする、エネルギービーム加熱式真空蒸着による薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/30 B
, C23C 14/28
