特許
J-GLOBAL ID：200903003133515687
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185100
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036732
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 注入すべきイオンビームのエネルギーレベルの如何にかかわらず高精度で面内均一性の良好なイオン注入装置を提供する。【構成】 走査電極6,7による走査過程で生じるイオンビーム3の広がりを抑制する第2のサプレッサ電極12,13を備え、制御装置15によりこの第2のサプレッサ電極12,13へ電圧を供給する電圧可変電源14の電圧を加速系5の電圧可変電源17の電圧に応じて調整制御する。
請求項（抜粋）：
加速系で加速されたイオンビームを走査電極で走査し被注入試料に照射するイオン注入装置において、上記走査電極の下流側に配置され、負の電位を印加することにより当該部分から上流側で発生した2次電子の下流側への移動および当該部分から下流側で発生した2次電子の上流側への移動を抑制する第1のサプレッサ電極を備え、この第1のサプレッサ電極へ印加する電位の大きさを上記加速系への印加電圧に関係させて可変としたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
