特許
J-GLOBAL ID：200903003152589632
炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401634
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201099
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 積層欠陥が低減され、しかも表面リークパスの原因が排除された3C-SiC単結晶を再現性良く製造する。【解決手段】 SiC単結晶基板の製造方法において、Si基板11の表面に、頂部と底部が一方向に連続して形成され、且つ頂部及び底部が一定間隔で周期的に配置されたラインアンドスペース状のパターンを、相互に直交させた格子状の起伏13を形成したのち、このSi基板11の起伏13を有する表面上に第1の3C-SiC層21をエピタキシャル成長し、次いで第1の3C-SiC層21からSi基板11を除去し、しかるのち第1の3C-SiC層21のSi基板11を除去した面と反対側の面上に第2の3C-SiC層22をエピタキシャル成長する。
請求項（抜粋）：
バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏が形成された結晶基板の表面上に立方晶系のSiC層をエピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB13
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077TC12
, 4G077TK04
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC03
, 5F045AC09
, 5F045AD14
, 5F045AE17
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045DA63
