特許

J-GLOBAL ID：200903003154614898

半導体装置の製造方法

発明者： 高瀬 道彦 ,  水野 文二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028170
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222566
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 水素を含む物質をシリコン酸化膜中にドープし、その一部をシリコンに変化させることを目的とする。【構成】 シリコン酸化膜上にパターン形成されたレジストをマスクとして、水素を含む物質と不純物とシリコンをドープし、この工程の後レジストを除去し、熱処理を行って前記ドープされたシリコン酸化膜を水素によりシリコンに変化させ配線または電極または抵抗を形成する。【効果】 シリコン酸化膜中に配線または電極または抵抗を形成し、膜厚のばらつきが小さい絶縁膜が形成される。従って多層化による配線の信頼性を向上させ、超微細な半導体装置の製造に大きく貢献するものである。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上に選択的にレジストを形成しパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記シリコン酸化膜中に水素、不純物及びシリコンをドープする工程と、前記レジストを除去するとともに熱処理を行い、前記熱処理により前記水素、不純物及びシリコンがドープされた前記シリコン酸化膜をシリコン化する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/28 K ,  H01L 27/04 D