特許

J-GLOBAL ID：200903003154967634

半導体レーザ装置および光ピックアップ

発明者： 安達 一彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373965
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189516
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、良好な特性が確保されると共に、材料として高価なAlN、SiC、又はBeO等を全く使用することなく、低コストで製造することが可能な半導体レーザ装置および光ピックアップを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体レーザ装置10においては、ヒートシンク上に、導電性のP型Si基板12a表面にN型不純物領域12bが形成されてなるサブマウント12が直接に搭載され、このN型不純物領域12b上に金属電極14を介して半導体レーザ素子16が搭載され、半導体レーザ素子16のP側電極とサブマウント12のN型不純物領域12bとが、逆極性同士が対向するように接合されている。ここで、サブマウント12のP型Si基板12aとN型不純物領域12bとのPN接合部に生じる空乏層により、半導体レーザ素子16とヒートシンクとの電気的な絶縁性が確保されている。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク上にサブマウントを介して半導体レーザ素子が搭載されている半導体レーザ装置であって、前記サブマウントが、第1導電型不純物領域が表面に形成されている第2導電型半導体基板からなり、前記半導体レーザ素子が、前記サブマウントの前記第1導電型不純物領域上に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125 A

Fターム (10件)：

5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119FA25 ,  5D119FA32 ,  5D119FA35 ,  5F073BA04 ,  5F073FA04 ,  5F073FA13 ,  5F073FA14 ,  5F073FA30