特許
J-GLOBAL ID：200903003161379608
基板処理装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357382
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158081
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 炉口付近に副生成物が付着するのをヒータを敷設せずに防止する。【解決手段】 プロセスチューブ11のマニホールド15の炉口16を開閉する炉口開閉装置21のシールキャップ23の上面には、窒素ガス52をシャワー状に吹き出すシャワーヘッド30が設置されている。成膜ガス51の供給時に窒素ガス52がシャワーヘッド30からシャワー状に吹き出されると、シールキャップ23の上方領域には副生成物防止ガス雰囲気としての窒素ガス雰囲気53が形成され、成膜ガス51がシールキャップ23の処理室側端面領域の表面に接触するのを阻止できるため、この領域に副生成物が付着するのを防止できる。【効果】 炉口付近の副生成物の堆積を防止できるため、堆積膜の剥離によるパーティクルの発生を防止でき、製造歩留り等を向上できる。ヒータを敷設せずに済むため、ボート搬入搬出室をロードロックチャンバの構築を可能とする。
請求項（抜粋）：
ガスが供給されて基板を処理する処理室と、この処理室の炉口を開閉するシールキャップとを備えており、前記シールキャップの処理室側端面の領域に副生成物防止ガスの吹出部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
4K030BA29
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA06
, 4K030KA10
, 4K030KA11
, 4K030LA15
, 5F045AB03
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EB10
