半導体素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313342
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】作製が容易で、かつ、信頼性の高い半導体素子を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するSiO2 膜1015、及び上部電極として機能するn型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。また、電荷保持領域1012では、シリコン微粒子1013が、絶縁体として機能するSiO2 膜1014中に分散されている。このように、半導体素子において、シリコン微粒子1013をSiO2 膜1014中に分散して構成する微粒子体分散領域1012を設けることにより、従来の半導体素子のようにトンネル酸化膜の厚さ及び微粒子体の粒径を制御する必要がなく、かつ、蓄積された電子の自然放出を効果的に抑制できるため、作製が容易で、かつ、信頼性の高い、新規な半導体素子を実現できる。

請求項（抜粋）：

導体層を有する基板と、上記導体層の上に設けられ、電荷の移動に対して障壁として機能する障壁層と、上記障壁層内に分散して配置され、上記導体層との間の距離が互いに異なる複数の粒子体とからなる電荷保持領域とを備え、上記複数の粒子体の静電容量は上記導体層との距離が小さいものほど大きいことを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/283 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 21/283 S , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD82 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG16 , 5F001AA13 , 5F001AA15 , 5F001AA19 , 5F001AA72 , 5F001AC01 , 5F001AD12 , 5F001AD70 , 5F001AE02 , 5F001AE08 , 5F001AF06 , 5F001AG01 , 5F001AG22 , 5F001AG30 , 5F083EP17 , 5F083EP30 , 5F083EP42 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA31 , 5F083JA33 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BA49 , 5F101BA54 , 5F101BC01 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BH01 , 5F101BH04 , 5F101BH16

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