特許

J-GLOBAL ID：200903003168168432

半導体装置

発明者： 西山 彰 ,  高木 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252449
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097673
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 ゲート長が短い場合でも良好な特性を維持することを可能とする。【解決手段】 p型の第1の半導体11上にゲート絶縁膜13を介して形成されたゲート電極14と、ゲート電極14の両側の領域に形成されたn型のソース及びドレイン15とを有する半導体装置において、ソース及びドレイン15の少なくとも一方の少なくとも一部が第2の半導体16で形成され、第2の半導体16の伝導帯端と真空準位とのエネルギー差が第1の半導体の伝導帯端と真空準位とのエネルギー差よりも大きい。

請求項（抜粋）：

p型の第1の半導体上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の両端部に対応して形成されたn型のソース及びドレインとを有する半導体装置において、前記ソース及びドレインの少なくとも一方の少なくとも一部が第2の半導体で形成され、この第2の半導体の伝導帯端と真空準位とのエネルギー差が前記第1の半導体の伝導帯端と真空準位とのエネルギー差よりも大きいことを特徴とする半導体装置。