特許
J-GLOBAL ID：200903003177432525
半導体ウェーハの研磨加工精度の測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐藤 隆久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276325
公開番号（公開出願番号）：特開平8-136226
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハの表面を基準とした研磨の平坦度を容易かつ精度よく測定する。【構成】 半導体ウェーハ20の研磨すべき平坦面表面に膜厚の相違によって色調が同じとなる等高線が現れる試験研磨層11、例えば多結晶シリコン層を形成し、該試験研磨層11を表面を基準とする研磨装置により研磨した後、該研磨面に生じる色調が同じとなる等高線の数(干渉縞)Iを測定することによって表面を基準とした研磨の均一性を測定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの研磨すべき平坦面表面に膜厚の相違によって色調が同じとなる等高線が現れる透光性の試験研磨層を形成し、該試験研磨層を表面を基準とする研磨装置により研磨した後、該研磨面に生じる色調が同じとなる等高線の数を測定することによって表面を基準とした研磨の均一性を測定することを特徴とする半導体ウェーハの研磨加工精度の測定方法。
IPC (5件)：
G01B 11/06
, B23Q 17/24
, B24B 49/02
, B24B 49/12
, H01L 21/304 321
