特許
J-GLOBAL ID：200903003178538386

半導体装置およびそれを用いた点火装置

発明者：
加藤 直人

加藤 直人 について

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山口 元男

山口 元男 について

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戸松 裕

戸松 裕 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430050
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191238
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 電流検出セルとパワー素子からなるメインセルとのボディ層が連続した構成とされる半導体装置において、寄生トランジスタがONすることにより素子破壊が発生することを防止する。【解決手段】 メインセルにおけるN+型エミッタ層4aと電流検出セルにおけるN+型エミッタ層4bとが互いに離間された構成とし、メインセルと電流検出セルとの間にはN+型エミッタ層が配置されていない構成とする。これにより、メインセルと電流検出セルとの間に寄生NPNトランジスタが形成されず、外部サージによる電流が内部抵抗に流れても、メインセルのIGBT11におけるコレクタ-エミッタ間に寄生PNPトランジスタが動作することによる大きな電流が流れないようにできる。したがって、メインセルのIGBT11が破壊されることを防止することが可能となる。【選択図】 図1
請求項１：
第1または第2導電型の半導体基板(1)に、パワー素子からなるメインセルと前記パワー素子と同じ構成の素子からなる電流検出セルとを形成してなる半導体装置であって、 前記メインセルと前記電流検出セルとが同じ列に並べられた配置とされてなり、 前記メインセルと前記電流検出セルには、共に、 前記半導体基板(1)上に形成された第2導電型のドリフト層(2)と、 前記ドリフト層(2)の表層部に形成された第1導電型のボディ層(3)と、 前記ボディ層(3)の表層部において、前記ドリフト層(2)から離間するように配置された第2導電型のエミッタ層(4a、4b)と、 前記エミッタ層(4a、4b)と前記ドリフト層(2)に挟まれた前記ボディ層(3)の表層部をチャネル領域として、このチャネル領域の表面に形成された絶縁膜(5)と、 前記絶縁膜(5)の表面に形成されたゲート電極(6)と、 前記ゲート電極(6)の上に形成された層間絶縁膜(7)と、 前記層間絶縁膜(7)に形成されたコンタクトホール(7a、7b)を通じて前記エミッタ層および前記ボディ層に電気的にコンタクトされるエミッタ電極(8a、8b)とを備え、 前記ボディ層(3)は、前記メインセルと前記電流検出セルとが並べられた方向を長手方向として、これら各セル間で連続した構成となっており、 前記エミッタ層(4a、4b)は、前記ボディ層(3)の長手方向に延設され、前記メインセルに形成されたもの(4a)と前記電流検出セルに形成されたもの(4b)とが互いに離間した構成となっており、 前記コンタクトホール(7a、7b)のうち、前記メインセルに形成されたもの(7a)は、その終端位置が前記メインセルに形成された前記エミッタ層(4a)のうち最も電流検出セル側に位置するものの終端位置よりも更に前記電流検出セル側に突出しており、かつ、前記電流検出セルに形成されたもの(7b)は、その終端位置が前記電流検出セルに形成された前記エミッタ層(4b)のうち最もメインセル側に位置するものの終端位置よりも更に前記メインセル側に突出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (4件)：
H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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