特許
J-GLOBAL ID：200903003181681084
イオンビームスパツタ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-101782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148645
出願日： 1991年04月08日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】 不純物粒子の混入がほとんどない薄膜素材を作製できるイオンビームスパッタ装置を提供する。【構成】 ターゲット1をスパッタすることにより基板2上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、ターゲット1と基板2との間に基板の垂線と平行な方向にスリット間隙をもつスリットを配置する。【効果】 ターゲット1のスパッタ粒子は基板2と垂直な経路5のように進むので基板2に到達できる。一方、基板2の周辺部がスパッタされた粒子(不純物粒子)は、基板2に対して傾斜した経路4を通るので、スリット3の部分でトラップされ、基板2には到達しない。
請求項（抜粋）：
イオンビームを照射される膜材料のターゲットと、膜付けされる基板とを対向させて前記基板上に真空条件下で膜形成を行うイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲットと前記基板との間にスリット部材を備えたことを特徴とするイオンビームスパッタ装置。
引用特許：
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