特許

J-GLOBAL ID：200903003183765617

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 市川 幸美 ,  井原 卓郎 ,  吉田 隆 ,  齋藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220870
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342924
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】アモルファス半導体層を用いる薄膜太陽電池のシート抵抗の高い透明電極における電力損失の低減を、複雑なパターニングを必要としないで達成する。【構成】光の反入射側にある絶縁性基板に多数の穴をあけ、基板の裏面に設けた低シート抵抗の第三電極層と光入射側の透明な第二電極層を、前記の穴を通じて接続する。直列接続のためには、一つのユニットセルの第三電極層の延長部と隣接ユニットセルの第一電極層の延長部を同様に基板にあけた穴を通じて接続する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に第三電極層が設けられ、第三電極層が第二電極層と基板、第一電極層、半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一電極層と実質的に絶縁された導体により接続されたことを特徴とする薄膜太陽電池。